东京--(美国商业资讯)--Kioxia Corporation是全球内存解决方案领域的领导者，于今天宣布其员工发明了高密度三维闪存存储设备及其制造方法，并获得了日本文部科学省颁发的科技奖。该技术大大提高了存储容量，并降低了制造成本。 每年，日本文部科学省都会将该奖项颁发给在研发领域取得杰出成就，并提高了公众对日本科技认知的个人。 Kioxia获奖者有： · Ryota Katsumata：内存事业部高级内存开发中心总经理助理 · Masaru Kito：内存事业部高级内存开发中心组长 · Hideaki Aochi：内存技术研发所设备技术研发中心高级专家 · Masaru Kido：内存开发战略事业部首席专家 · Hiroyasu Tanaka：内存开发战略事业部首席专家 获奖技术概览 闪存技术已经广泛应用于数据存储的各个领域，包括智能手机和数据中心。预计，闪存技术的需求将会继续增长。 此次获奖的三维闪存技术是一种突破性的方法，大大简化了垂直堆叠存储单元的制造工艺，实现了高密度的三维闪存存储。传统堆叠方法需要重复的沉积和构图工艺来制造存储单元阵列，而这项获奖技术采用的方法是先堆叠存储单元的材料，然后使用一次性构图工艺同时制作每个单元，从而显著减少了工艺步骤。随着传统二维闪存中微型化技术的发展趋于物理极限，越来越多的市场主导产品开始采用大容量、高性能的三维闪存技术。自从2015年开始商业化三维闪存BiCS FLASH™以来，Kioxia一直致力于提高堆叠密度。上个月，Kioxia发布了其218层大容量、高性能三维闪存技术BiCS FLASH™。 这项三维闪存技术还在2020年获得了国家发明奖的帝国发明奖项，并在2021年获得了IEEE Andrew S. Grove奖。 Kioxia以“存储”助力世界发展的使命为指导，致力于通过研究和技术发展，为世界各地的人们创造价值。 关于Kioxia Kioxia是全球存储器解决方案领域的领军企业，致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身是Toshiba Memory，于2017年4月从Toshiba Corporation（1987年发明了NAND闪存）剥离出来。Kioxia致力于凭借存储器技术促进世界发展，该公司提供各种产品、服务和系统，为客户提供多样化选择，并基于存储器技术创造价值，推动社会的发展。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域（包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心）的未来。 免责声明：本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用，烦请参照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。 在 businesswire.com 上查看源版本新闻稿: https://www.businesswire.com/news/home/20230418006280/zh-CN/ CONTACT: Kota Yamaji
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