日本川崎--(美国商业资讯)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)扩大了其采用最新一代工艺制造的N沟道功率MOSFET产品线[1]，该产品采用适合数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器的600V超级结结构。新产品“TK055U60Z1”是DTMOSVI系列中的首款600V产品，自即日起开始发货。 本新闻稿包含多媒体。此处查看新闻稿全文： https://www.businesswire.com/news/home/20230612681909/zh-CN/ 通过优化栅极设计和工艺，与具有相同漏源电压额定值的Toshiba当前一代DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品单位面积漏源导通电阻降低约13%，MOSFET性能品质因数漏源导通电阻×栅漏电荷约降低52%，从而确保该系列同时实现低导通损耗和低开关损耗，有助于提高开关电源的效率。 新产品采用TOLL封装，可实现其栅极驱动的信号源端子开尔文连接。封装中源极线中电感的影响得以降低，从而增强MOSFET的高速开关性能，抑制开关期间的振荡。 Toshiba将继续扩大其600V DTMOSVI系列产品阵容，及其已经发布的650V DTMOSVI系列产品，并通过降低开关电源的功率损耗来支持节能。 注：
[1] 截至2023年6月。 应用 · 数据中心（服务器用开关电源等） · 光伏发电机功率调节器 · 不间断电源系统 特点 · 实现低漏源导通电阻×栅漏电荷，并实现高效率开关电源 | 主要规格 | | （如无其他规定，Ta=25°C） | | 部件号 | TK055U60Z1 | | 绝对最大 额定值 | 漏源电压VDSS (V) | 600 | | 漏极电流(DC) ID (A) | 40 | | 沟道温度Tch (°C) | 150 | | 电气特性 | 漏源导通电阻 RDS(ON) (mΩ) | VGS=10V | 最大 | 55 | | 总栅极电荷Qg (nC) | 典型 | 65 | | 栅极漏极电荷Qgd (nC) | 典型 | 15 | | 输入电容Ciss (pF) | 典型 | 3680 | | 封装 | 名称 | TOLL | | 尺寸(mm) | 典型 | 9.9×11.68, t=2.3 | | 样品检查和供应情况 | 在线购买 | 点击以下链接了解有关新产品的更多信息。
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公司在全球的2.15万名员工共同致力于最大限度提高公司产品价值，不断强化与客户的密切合作，携手创造价值，合作开发新市场。在目前近8000亿日元（61亿美元）年销售额的基础，Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation期待为全人类创造更美好的未来并做出相关贡献。
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Toshiba：DTMOSVI系列的600V N沟道功率MOSFET TK055U60Z1。（图示：美国商业资讯） |
