日本川崎--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba)推出多款用于工业设备的碳化硅(SiC) MOSFET,称为“TWxxxZxxxC”系列,采用可降低开关损耗的四引脚TO-247-4L(X)封装和公司最新的[1] 第三代SiC MOSFET芯片。即日起开始批量发货10款产品,其中5款产品的额定电压为650V,另外5款为1200V。 本新闻稿包含多媒体。此处查看新闻稿全文: https://www.businesswire.com/news/home/20230830818050/zh-CN/ 这些新产品是Toshiba首次采用四引脚TO-247-4L(X)封装的SiC MOSFET系列,支持在栅极驱动信号源端实现开尔文连接。该封装可降低封装内部源线电感的影响,提升高速开关的性能。与Toshiba现有三引脚TO-247封装产品TW045N120C相比,新TW045Z120C系列的导通损耗降低约40%,关断损耗降低约34%[2],从而有助于降低设备功率损耗。 使用SiC MOSFET的三相逆变器的参考设计已在线发布。 未来Toshiba将继续扩大产品阵容,以顺应市场趋势,并为提高设备效率和扩大功率容量做出贡献。 注: [1] 截至2023年8月。 [2] 截至2023年8月,Toshiba测量值(测试条件:VDD=800V、VGG=+18V/0V、ID=20A、RG=4.7Ω、L=100μH、Ta=25°C) 应用 - 开关电源(服务器、数据中心、通信设备等)
- 电动汽车充电站
- 光伏逆变器
- 不间断电源(UPS)
特性 - 四引脚TO-247-4L(X)封装:
通过栅极驱动信号源端的开尔文连接来降低开关损耗 - 第三代SiC MOSFET
- 低漏源导通电阻 x 栅漏电荷
- 低二极管正向电压:VDSF=-1.35V(典型值)(VGS=-5V)
主要规格 访问以下链接,详细了解新产品。 TW015Z120C TW030Z120C TW045Z120C TW060Z120C TW140Z120C TW015Z65C TW027Z65C TW048Z65C TW083Z65C TW107Z65C 访问以下链接,详细了解Toshiba的MOSFET产品。 MOSFET 访问以下链接,详细了解Toshiba的解决方案提议。 应用 服务器 不间断电源 LED照明 如需了解在线分销商的新产品供货情况,请访问: TW015Z120C 在线购买 TW030Z120C 在线购买 TW045Z120C 在线购买 TW060Z120C 在线购买 TW140Z120C 在线购买 TW015Z65C 在线购买 TW027Z65C 在线购买 TW048Z65C 在线购买 TW083Z65C 在线购买 TW107Z65C 在线购买 * 公司名称、产品名称和服务名称可能是各自公司的商标。 * 本文档中的信息(包括产品价格和规格、服务内容和联系信息)截至公告发布之日是最新的,但可能会在不事先通知的情况下发生变更。 关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是一家领先的先进半导体和存储解决方案供应商,依托半个多世纪的经验与创新优势,为客户和业务合作伙伴提供杰出的半导体分立器件、系统LSI和HDD产品。 公司在全球拥有21,500名员工,以实现产品价值最大化为己任,与客户紧密合作,共同创造价值、开拓新市场。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation年销售收入近8000亿日元(61亿美元),立志为全人类创造更加美好的未来。 有关更多信息,请访问https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html 免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。 在 businesswire.com 上查看源版本新闻稿: https://www.businesswire.com/news/home/20230830818050/zh-CN/ CONTACT: 客户垂询: 功率元件销售与营销部 电话:+81-44-548-2216 联系我们 媒体垂询: Chiaki Nagasawa 数字营销部 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp 
Toshiba:用于工业设备的第三代SiC MOSFET,采用四引脚封装,可降低开关损耗。(图示:美国商业资讯) 
Toshiba:使用SiC MOSFET的三相逆变器的参考设计。(照片:美国商业资讯) |