日本川崎--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(“Toshiba”)已在第3代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品,应用于光伏逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备。Toshiba现已开始提供该系列的十款新产品,其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。 本新闻稿包含多媒体。此处查看新闻稿全文: https://www.businesswire.com/news/home/20240924093408/zh-CN/ 最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品,它采用Toshiba第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基(JBS)结构 [1]。在结势垒中使用新型金属,有助于这些新产品实现前沿的[2]1.27 V(典型值)低正向电压、低总电容电荷和低反向电流。这可显著降低较大电源应用中的设备功耗。 Toshiba将继续壮大其SiC电源器件的产品线,并将一如既往地专注于提高效率,降低工业电源设备功耗。 注: [1] 改进型结势垒肖特基(JBS)结构:该结构将混合式PiN肖特基(MPS)结构整合在JBS结构中,MPS可在大电流下降低正向电压,而JBS不仅可降低肖特基接口的电场,还可减少电流泄漏。 [2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的Toshiba调查。 应用 - 光伏逆变器
- 电动汽车充电站
- 工业设备用开关电源、不间断电源(UPS)
特性 - 第3代1200 V SiC SBD
- 前沿的[2]低正向电压:V F =1.27V(典型值)(I F =I F(DC) )
- 低总电容电荷:TRS20H120H的Q C =109nC(典型值)(V R =800V,f=1MHz)
- 低反向电流:TRS20H120H的I R =2.0μA(典型值)(V R =1200V)
主要规格 | | (除非另有说明,否则T a =25°C) | 器件型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | 电气特性 | 样品查看与 供货情况 | 重复峰值反向 电压 V RRM (V) | 正向 直流 电流 I F(DC) (A) | 非重复 峰值正向 浪涌电流 I FSM (A) | 正向电压 (脉冲测量) V F (V) | 反向电流 (脉冲测量) I R (μA) | 总电容电荷 Q C (nC) | | 温度条件 T c (°C) | f=50Hz (半正弦波,t=10ms), T c =25°C | I F =I F(DC) | V R =1200V | V R =800V,f=1MHz | 典型值 | 典型值 | 典型值 | TRS10H120H | TO-247-2L | 1200 | 10 | 160 | 80 | 1.27 | 1.0 | 61 | 在线购买 | TRS15H120H | 15 | 157 | 110 | 1.4 | 89 | 在线购买 | TRS20H120H | 20 | 155 | 140 | 2.0 | 109 | 在线购买 | TRS30H120H | 30 | 150 | 210 | 2.8 | 162 | 在线购买 | TRS40H120H | 40 | 147 | 270 | 3.6 | 220 | 在线购买 | TRS10N120HB | TO-247 | 5(每个引脚) 10(两个引脚) | 160 | 40(每个引脚) 80(两个引脚) | 1.27 (每个引脚) | 0.5 (每个引脚) | 30 (每个引脚) | 在线购买 | TRS15N120HB | 7.5(每个引脚) 15(两个引脚) | 157 | 55(每个引脚) 110(两个引脚) | 0.7 (每个引脚) | 43 (每个引脚) | 在线购买 | TRS20N120HB | 10(每个引脚) 20(两个引脚) | 155 | 70(每个引脚) 140(两个引脚) | 1.0 (每个引脚) | 57 (每个引脚) | 在线购买 | TRS30N120HB | 15(每个引脚) 30(两个引脚) | 150 | 105(每个引脚) 210(两个引脚) | 1.4 (每个引脚) | 80 (每个引脚) | 在线购买 | TRS40N120HB | 20(每个引脚) 40(两个引脚) | 147 | 135(每个引脚) 270(两个引脚) | 1.8 (每个引脚) | 108 (每个引脚) | 在线购买 | 如需了解新产品的更多信息,请访问以下链接: TRS10H120H TRS15H120H TRS20H120H TRS30H120H TRS40H120H TRS10N120HB TRS15N120HB TRS20N120HB TRS30N120HB TRS40N120HB 如需了解有关Toshiba SiC SBD的更多信息,请访问以下链接: SiC肖特基势垒二极管 第3代SiC肖特基势垒二极管(SBD) 如需了解有关Toshiba SiC电源器件的更多信息,请访问以下链接: SiC电源器件 如需了解在线分销商新产品的供货情况,请访问: TRS10H120H 在线购买 TRS15H120H 在线购买 TRS20H120H 在线购买 TRS30H120H 在线购买 TRS40H120H 在线购买 TRS10N120HB 在线购买 TRS15N120HB 在线购买 TRS20N120HB 在线购买 TRS30N120HB 在线购买 TRS40N120HB 在线购买 * 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。 * 本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日为最新信息,但如有变更,恕不另行通知。 关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商,凭借半个多世纪的经验和创新,为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。 该公司在全球拥有19,400名员工,以实现产品价值最大化,与客户密切合作共创价值和开拓新市场为宗旨。该公司以建设并促进更美好的未来,让全世界的所有人受益为目标。 如需了解更多信息,请访问 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html 免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。 在 businesswire.com 上查看源版本新闻稿: https://www.businesswire.com/news/home/20240924093408/zh-CN/ CONTACT: 客户查询: 电源器件与小信号器件销售与营销部 电话:+81-44-548-2216 联系我们 媒体查询: Chiaki Nagasawa 数字营销部 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp 
Toshiba:1200V第三代SiC肖特基势垒二极管。(图示:美国商业资讯) |